1月30日，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）宣布已經(jīng)成功完成了第五代3D NAND技術(shù)BiCS5的研發(fā)，繼續(xù)保持業(yè)界先進(jìn)閃存技術(shù)的領(lǐng)先地位。

基于TLC與QLC閃存技術(shù)構(gòu)建的BiCS5技術(shù)，在合理優(yōu)化的成本上，提供了出色的容量，性能和可靠性，成為解決聯(lián)網(wǎng)汽車、移動(dòng)設(shè)備及AI相關(guān)的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的理想方案。

西數(shù)目前已經(jīng)開始初步生產(chǎn)容量為512Gb的BiCS5 TLC產(chǎn)品，且基于該技術(shù)的消費(fèi)類產(chǎn)品目前正在出貨。預(yù)計(jì)到2020年下半年，將大規(guī)模生產(chǎn)BiCS5。屆時(shí)將推出一系列基于TLC、QLC技術(shù)的不同容量產(chǎn)品，包括1.33Tb。

據(jù)了解，BiCS5是西數(shù)迄今為止密度最高，最先進(jìn)的3D NAND技術(shù)。第二代多層存儲(chǔ)孔技術(shù)，改進(jìn)的制成工藝和其他3D NAND單元增強(qiáng)功能顯著提高了整個(gè)芯片上水平的單元陣列密度。

這些“橫向擴(kuò)展”的進(jìn)步與112層垂直存儲(chǔ)功能相結(jié)合，使BiCS5與西數(shù)的96層BiCS4技術(shù)相比，每個(gè)芯片的存儲(chǔ)容量提高了40%以上，同時(shí)優(yōu)化了成本。新的設(shè)計(jì)改進(jìn)還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4快了多達(dá)50%。

BiCS5技術(shù)是與其技術(shù)制造伙伴鎧俠（Kioxia，原東芝存儲(chǔ)器）共同研發(fā)，也將會(huì)在日本三重縣四日市市和日本巖手縣北上市的合資工廠里生產(chǎn)。

西數(shù)存儲(chǔ)器技術(shù)與制造高級(jí)副總裁Steve Paak博士提到：“隨著步入下一個(gè)十年，新的3D NAND縮放方法對(duì)于繼續(xù)滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)速率的需求至關(guān)重要?！?/p>

Steve Paak還表示：“我們成功生產(chǎn)的BiCS5體現(xiàn)了西數(shù)在閃存技術(shù)上的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位以及對(duì)技術(shù)路線圖的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲(chǔ)孔技術(shù)的最新技術(shù)進(jìn)成果，增加橫向密度并增加存儲(chǔ)層，我們?cè)诶^續(xù)提供客戶期望的可靠性和成本的同時(shí)，極大地?cái)U(kuò)展了3D NAND技術(shù)的容量和性能?！保ň幾g：Kevin）

封面圖片來源：拍信網(wǎng)